2月25日消息，三星电子星期三（2月24日）宣布称，它已经开始使用40纳米技术大批量生产4GB DDR3 DRAM内存芯片。三星负责内存营销的副总裁Dong-Soo Jun解释说，这种内存是一种超低功率绿色内存。这种内存已经进行了优化，以便提高为寻求达到或者超过能源之星电源消耗技术规范的服务器的能源效率等级。

4GB DDR3内存的生产将把服务器中使用的内容容量提高到每个模块32GB，这是当前基于3GB组件的内存模块最大密度的一倍。随着4GB DDR3内存的大批量生产，三星计划把90%的DDR DRAM内存生产都转移到40纳米生产工艺上来。

目前，服务器每个处理器平均配置6个RDIMM（带寄存器的双线内存模块）内存插座，最多可容纳96GB DRAM内存容量。基于60纳米1GB DDR2组件的内存模块耗电量是210瓦。而基于40纳米2GB DDR3组件的内存模块耗电量是55瓦。基于40纳米4GB DDR3组件的内存模块的耗电量是36瓦。

4GB DDR3内存支持1.5和1.35伏技术规范。可用的内存模块包括16GB和32GB RDIMM模块和8GB SoDIMM模块，每秒数据传输速度是1.6GB。