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英特尔25nm闪存量产 演绎新固态硬盘时代

2010-05-20 17:35  《4PS呼叫中心国际标准研究中心》  咨询电话:17317241681(微信同号)  赛迪网 作者:威廉


       5月20日消息,据国外媒体报道,英特尔证实它与美光闪存公司合作开发的25nm闪存已经开始量产,并开始向消费者供货。

 

IMFT(Intel-Micron Flash Technologies,英特尔美光闪存技术公司)于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本,二月份发布了官方声明。英特尔和美光公司都期望25nm NAND闪存被用在新一代固态硬盘上。英特尔同时致力于开发一款支持ONFI2.2的新NAND闪存控制器。

 

IMFT 8GB NAND芯片尺寸仅为一百六十七平方毫米,可容纳2,000首歌曲,7000张照片或8小时的视频。由于iPad和智能手机的出现,以后对于NAND闪存的要求会越来越高。固态硬盘,USB和高容量存储卡的需求也会增长。

 

 

 

更小的芯片尺寸使IMFT以最小的成本增加闪存芯片的容量。在去年七月发布34nm产品时,英特尔将它的固态硬盘价格降低了60%。

 

今年整个闪存芯片产业会有很大的发展。Hynix准备在七月量产26nm NAND,Toshiba和SanDisk准备24nm产品。美光公司称以上产品都属于20nm级的技术。

 

这种技术的另一个优势是密度和封装尺寸。美光的25nm NAND封装达到12毫米,符合业界20毫米的薄型小尺寸封装标准。

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